一.结构

三极管有两个结，三个电极，三个区组成，如图1-29所示。

两个结：发射结和集电结

三个极：发射极E，基极B，和集电极C

三个区：发射区；参杂浓度大。

            基区；很薄，参杂浓度很小。

            集电区:参杂浓度小，但面积大。

这种特殊结构是三极管具有电流放大作用的内部依据。

二.类型

1.按结构区分：有NPN型和PNP型。

2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。

3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。

4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管。

三.工作条件   三极管有电流放大作用大外部条件。

1.NPN型三极管：V_C>V_B>V_E

2.PNP型三极管：VC<VB<VE       

无论何型三极管，其外部工作条件为：发射极正偏，集电极反偏

1.3.2 三极管的三种连接方式

1.共发射极接法：发射极为交流输入和输出信号的公共端。

2.共集电极接法：集电极为交流输入和输出信号的公共端。

3.共基极接法：  基极为交流输入和输出信号的公共端。

1.3.3 三极管的电流放大原理

一.载流子传输过程

以NPN型三极管为例进行分析，如图1-31所示。

1.发射。发射结正偏，发射区中的多子电子大量地向基区扩散，形成发射极电流。

2. 复合。从发射区扩散到基区的电子，很少一部分与基区中的空穴相复合，形成基极电流的主要部分I_CN。

3. 收集。从发射区扩散到基区的电子，除很少部分被复合掉外，绝大部分电子向集电结扩散，且在集电结反偏电压的作用下，迅速漂移过集电结被集电区所收集，形成集电极电流的主要部分。同时，集电区少子空穴在集电结反偏电压的作用下向基区漂移，形成集电结反向饱和电流I_CBO，它是集电极电流的极小部分，也是基极电流的一部分。

二.各极电流的关系

I_C=I_CN+I_CBO                    I_CN=I_C-I_CBO

I_B=I_BN-I_CBO                    I_BN=I_B+I_CBO

I_E≈I_CN+I_BN=I_C-I_CBO+I_B+I_CBO

I_E=I_C+I_B

三.电流放大系数

1.直流电流放大系数 β

β=I_CN/I_BN=(I_C-I_CBO)/(I_B+I_CBO)≈I_C/I_B   (I_C>>I_B>>I_CBO)

2.交流电流放大系数β

β≈ΔI_C/ΔI_B

3.穿透电流I_CEO

I_CEO=(1+β)I_CBO

1.3.4三极管的特性曲线

一.输入特性

i_B=f(u_be)∣U_CE=常数

1. U_CE =0V时

三极管的输入特性曲线，相当于二级管的正向特性曲线，如图1-34所示。

2. U_CE =1V时

三极管的输入特性曲线将向右移。

3. U_CE >1V时

三极管的特性曲线几乎与U_CE =1V时的输入特性曲线重合。

二.输出特性

i_C=f(u_CE)∣I_B=常数

输出特性曲线有三个主要区域。如图1-35所示。

1. 截止区

U_BE≤0V,I_B≤0,I_C=I_CEO,三极管几乎不导通，叫截止状态。

2. 放大区

U_BE>0.5—0.7（硅管）,U_BE>0.1—0.3V(锗管)， U_CE>>U_BE,当U_CE不变时，

I_C=βI_B

3. 饱和区

U_BE>0.5—0.7（硅管）,U_BE>0.1—0.3V(锗管)，U_CE<U_BE,I_C<βi_b,ic≠βi_b,

U_CE>0 ,    U_CES=0.3v(硅管) , U_CES =0.1v(锗管).

1.3.5三极管的主要参数

一.电流放大系数

β=ΔI_C/ΔI_B∣U_CE=常数

二.极间反向电流

I_CBO

I_CEO=(1+β)I_CBO

三.极限参数

1.集电极最大允许电流I_CM

2.集电极最大允许功率损耗P_CM

P_CM=U_CEI_C

3.反向击穿电压

BU_CBO>BU_CEO>BU_EBO

为了安全起见，应使三极管的U_CE<BU_CEO

四.温度对三极管参数的影响

1.对V_BE有影响

2.对I_CBO和I_CEO有影响

3.对β有影响